Импеданс печатной платы и затухание (Microstrip / Stripline / CPW)

Разводите высокочастотную плату — нужно рассчитать импеданс дорожки и затухание сигнала на рабочей частоте? Калькулятор поддерживает три геометрии (microstrip / stripline / CPWG), считает по моделям Hammerstad-Jensen и Wadell, разделяет потери в проводнике (skin effect) и диэлектрике (tan δ). Пресеты типовых материалов: FR-4, Rogers RO4350B/RO3003/Duroid 5880, Megtron 6, Taconic.
Геометрия дорожки
Заполнить форму можно без регистрации, но для запуска расчёта нужен аккаунт.РегистрацияВойти
Что считается и как

Импеданс печатной дорожки определяется геометрией (ширина, высота над землёй, толщина меди) и материалом диэлектрика (εr). На высоких частотах появляется заметное затухание из-за двух механизмов: скин- эффект в проводнике и диэлектрические потери (tan δ).

Microstrip — модель Hammerstad-Jensen (точность ±1% для u = w/h в диапазоне 0.1...100):

a(u) = 1 + (1/49)·ln[(u⁴ + (u/52)²)/(u⁴ + 0.432)]
      + (1/18.7)·ln[1 + (u/18.1)³]
b(εr) = 0.564·((εr−0.9)/(εr+3))^0.053
εr_eff = (εr+1)/2 + (εr−1)/2 · (1 + 10/u)^(−a·b)
F(u) = 6 + (2π−6)·exp[−(30.666/u)^0.7528]
Z₀ = (η₀/(2π·√εr_eff))·ln[F/u + √(1 + (2/u)²)]

η₀ = 376.73 Ом — импеданс свободного пространства.

Stripline (Wadell, для w/(b−t) < 0.35):

Z₀ = (60/√εr) · ln[4·b/(0.67π·(0.8w + t))]

CPWG (Coplanar Waveguide with ground) — приближение через эллиптические интегралы (Hilberg approximation):

k = w/(w + 2g)
Z₀ ≈ (η₀/(4·√εr_eff)) · K(k')/K(k)

Скин-глубина в меди:

δ [мкм] = 66.07/√(f_МГц)

Ток на ВЧ распространяется в тонком поверхностном слое — отсюда потери увеличиваются с √f.

Потери в проводнике (Pozar):

αc [Нп/м] = R_unit/(2·Z₀), R_unit = 1/(σ·δ·w)

Потери в диэлектрике для microstrip:

αd [Нп/м] = (π·f/c)·tan δ · εr·(εr_eff−1)/(√εr_eff·(εr−1))

Поправочный коэффициент учитывает что часть поля в воздухе. Для stripline (поле полностью в диэлектрике): αd = π·f·√εr·tan δ / c.

Перевод Нп → дБ: α [дБ/м] = α [Нп/м] · 8.686.

Полная длина волны на дорожке:

λ = c/(f · √εr_eff)

Для FR-4 (εr_eff ≈ 3.3) и f = 1 ГГц: λ ≈ 165 мм. Электрическая длина дорожки 100 мм ≈ 218°.

✓ Проверочный пример
Вход: Microstrip, FR-4 (εr=4.4), ширина w=2 мм, высота h=1 мм, t=35 мкм
Ожидается: Z₀ ≈ 49 Ом, εr_eff ≈ 3.34
Источник: Hammerstad-Jensen формула (IEEE MTT-S 1980), кросс-чек против Saturn PCB Toolkit

Источники (проверены 2026-05-08): Hammerstad E., Jensen O. «Accurate models for microstrip computer-aided design» (IEEE MTT-S 1980); Wadell B.C. «Transmission Line Design Handbook» (Artech House, 1991); Pozar D.M. «Microwave Engineering» (4-е изд., Wiley); IPC-2141A «Controlled Impedance Circuit Boards». Параметры материалов — datasheet'ы Rogers, Panasonic Megtron, Taconic.

Опубликовано: 8 мая 2026 г.Обновлено: 8 мая 2026 г.Актуальность стандартов проверена при последнем обновлении
Калькулятор — вспомогательный инструмент для оценки. Для сертификации, проектной документации и приёмочных испытаний сверяйтесь с первоисточником стандарта.

Похожие калькуляторы

Расчёт ESD-защиты по ГОСТ 30804.4.2
Защита от электростатического разряда: ток до 30 А @ 8 кВ, импульс 0.7/30 нс. V_overshoot из L·dI/dt, ёмкость диода для high-speed
Расчёт защиты от EFT/Burst по ГОСТ 30804.4.4
Наносекундные импульсные помехи 5/50 нс в пакетах: подбор LC-фильтра + TVS, проверка спектрального подавления
Шумовой коэффициент каскада (Friis) и чувствительность приёмника
Сумма NF цепи из N звеньев по формуле Фрииса, кумулятивный IIP3, чувствительность приёмника, оптимизация порядка каскадов