Синтез LC-фильтра: Баттерворт и Чебышёв (порядок + номиналы)
Реквизиты для печати (организация, исполнитель, № документа)
Что считается и как
Калькулятор синтезирует лестничный LC-фильтр по классической методике полиномиальных низкочастотных прототипов (Matthaei–Young–Jones, Pozar). Это не ГОСТ — прямого ГОСТа на синтез LC-фильтров нет, методика общепринята в СВЧ-технике. Ряды предпочтительных номиналов Е12/Е24 — по ГОСТ 28884-90 (МЭК 63). Элементы считаются идеальными (без потерь и паразитных параметров).
Минимальный порядок из требований (x = fs/fc для ФНЧ, fc/fs для ФВЧ; Ap = 3.01 дБ для Баттерворта, пульсация Ar для Чебышёва):
Чебышёв: n ≥ arcosh(√((10^(As/10)−1)/(10^(Ar/10)−1))) / arcosh(x)
g-коэффициенты прототипа (нормировка ω′ = 1, R = 1, g₀ = 1):
Чебышёв: β = ln(coth(Ar/17.3718)), γ = sinh(β/2n)
a_k = sin((2k−1)π/2n), b_k = γ² + sin²(kπ/n)
g₁ = 2a₁/γ, g_k = 4·a_(k−1)·a_k / (b_(k−1)·g_(k−1))
g_(n+1) = 1 (n нечёт.) или coth²(β/4) (n чёт.)
Денормировка (ωc = 2π·fc, импеданс R):
ФВЧ: C = 1/(g·R·ωc) (послед.), L = R/(g·ωc) (парал.)
В топологии T первый элемент прототипа последовательный, в П — параллельный. ФВЧ получается заменой ω → −ωc/ω: катушки прототипа становятся конденсаторами (и наоборот) с обратными g. Чебышёв чётного порядка требует неравных нагрузок (g_(n+1) ≠ 1) — для равных нагрузок берите нечётный порядок.
Источники (проверены 2026-07-25): формулы g-коэффициентов Баттерворта и замкнутые формулы Чебышёва (β, γ, a_k, b_k, coth²(β/4)) — Matthaei– Young–Jones / Steer «Microwave and RF Design» (eng.libretexts.org), Microwave Journal (microwavejournal.com); контроль по опубликованным таблицам прототипов: Чебышёв 0.1 дБ n=3 → 1.0316/1.1474/1.0316, 0.5 дБ n=3 → 1.5963/1.0967/1.5963 (rfcafe.com). Формулы порядка — sciencedirect.com, open.edu. Денормировка и ФВЧ-преобразование — EE133 Stanford (web.stanford.edu), GlobalSpec, Stiles (ittc.ku.edu). Ряды Е12/Е24 — ГОСТ 28884-90 (МЭК 63), значения сверены по electronics-notes.com и rohm.com. Методика синтеза — не ГОСТ; результат — стартовая точка для проверки в симуляторе с реальными моделями компонентов.